DSpace logo

Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.uksw.edu/handle/123456789/4008
Title: Osilator Berbasis Gallium Arsenide (GaAs)
Authors: Chandra
Febrianto, Andreas Ardian
Keywords: osilator;gallium arsenide
Issue Date: Apr-2014
Publisher: Jurusan Teknik Elektro Fakultas Teknik Universitas Kristen Satya Wacana Salatiga
Abstract: Gallium Arsenide (GaAs) merupakan bahan semikonduktor majemuk Penggunaan GaAs sebagai salah satu bahan untuk semikonduktor sudah diteliti sejak lama, hanya saja penggunaan dan produksi semikonduktor berbahan GaAs yang ada saat ini masih sangat terbatas. Beberapa keuntungan penggunaan GaAs dibandingkan dengan Silikon (Si) adalah semikonduktor berbahan GaAs mempunyai kecepatan yang lebih cepat dibandingkan dengan Si, semikonduktor berbahan GaAs bisa beroperasi untuk frekuensi microwave sedangkan semikonduktor berbahan Si tidak bisa secara efektif berfungsi, semikonduktor berbahan GaAs mempunyai jangkauan temperatur kerja yang lebih lebar. Peranti -peranti dengan bahan GaAs dapat menoleransi jangkauan temperatur antara -200° C hingga 200° C,dan hambatan jenis ( resistiviy ) intinsik yang lebih tinggi sehingga dapat memudahkan isolasi dari bermacam-macam peranti dalam satu landasan. Komponen elektronika dioda Gunn dan dioda IMPATT yang berbasis GaAs digunakan dalam perancangan osilator berbasis GaAs. Osilatof dioda Gunn dan dioda IMPATT mampu bekerja pada fekuensi microwave dengan konsumsi daya yang rendah
Description: Techne : Jurnal Ilmiah Elektronika. Vol. 13 No. 1 April 2014, p.15 – 28
URI: http://repository.uksw.edu/handle/123456789/4008
ISSN: 1412-8292
Appears in Collections:Techne 2014 Vol. 13 No. 1 April

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ART_Chandra, AA Febrianto_Osilator Berbasis Gallium_abstract.pdfAbstract414 kBAdobe PDFView/Open
ART_Chandra, AA Febrianto_Osilator Berbasis Gallium_full text.pdfFull text657.24 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.