Please use this identifier to cite or link to this item: https://repository.uksw.edu//handle/123456789/3048
Title: Proses Fabrikasi Untai Terintegrasi Berbasis Bahan Semikonduktor Gallium Arsenide (GaAs)
Authors: Febrianto, Andreas A.
Keywords: untai terintegrasi;silikon;gallium arsenide
Issue Date: Oct-2005
Publisher: Fakultas Teknik Universitas Kristen Satya Wacana
Abstract: Bahan semikonduktor Silikon (Si) telah digunakan secara luas dalam pembuatan komponen elektronika termasuk untai terintegrasi. Kelemahan untai terintegrasi dari bahan Si adalah tidak dapat digunakan pada untai logika terapan yang mengolah masukan dengan kecepatan sangat tinggi. Masalah ini diatasi dengan menggunakan Gallium Arsenide (GaAs) sebagai bahan alternatif untai terintegrasi menggantikan Si.
Description: Techne : Jurnal ilmiah Elektronika ; vol.4, no. 2, Oktober 2005 : 101-106
URI: http://repository.uksw.edu/handle/123456789/3048
ISSN: 1412-8292
Appears in Collections:Techne 2005 Vol. 4 No. 2 Oktober



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.