Proses Etsa Anisotropik Silikon (Si) Dalam Larutan Tetrametil Amonium Hidroksida, Isopropil Alkohol, Pyrazine dan Karakterisasinya

Abstract

Makalah ini menjelaskan karakteristik etsa anisotropik dari kristal tunggal Si dalam larutan tetrametil amonium hidroksida (TMAH) : isopropil alkohol (IPA) : pyrazine. Dengan penambahan IPA untuk larutan TMAH, ada perbaikan dalam kerataan di bagian depan etsa dan pengurangan undercutting diamati, tetapi laju etsa pada Si (100) menurun. Pada Si (100) tingkat esa ditingkatkan dengan penambahan larutan pyrazine . Laju etsa :0,8 µm / menit pada Si (100), lebih cepat sebesar 13% dari laju etsa untuk larutan 20% berat TMAH. Larutan pyrazine 0,005-g/mL, laju etsa pada Si (100) menurun ketika pyrazine ditambahkan ke larutan. Dengan penambahan pyrazine ke 25% berat larutan TMAH, tidak ada variasi yang signifikan dalam kerataan di bagian d epan etsa, dan ratio undercutting berkurang 30 ~ 50 %. Hasil ini menunjukkan bahwa etsa anisotropik dari Si (100) menggunakan TMAH : IPA : larutan pyrazine menjadikan metode yang powerful untuk mewujudkan pembuatan devais mikro elektro-mekanis sistem (MEMS) yang terintegrasi